ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
APT150GN120JDQ4
  • APT150GN120JDQ4
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
215 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 150A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
ไอโซโทป®
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
300 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
625 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
9.5 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APT150
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IGBT MOD 1200V 215A 625W ไอโซโทป
รายละเอียดสินค้า
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนามเดียว 1200 V 215 A 625 W ชาซี มอนท์ ISOTOP®

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา