ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
FZ600R17KE3S4HOSA1
  • FZ600R17KE3S4HOSA1
FZ600R17KE3S4HOSA1

FZ600R17KE3S4HOSA1

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1200 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ค
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 600A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
3 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
3150 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
54 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เดี่ยว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FZ600R17
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IGBT MOD 1700V 1200A 3150W
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT ติดกรัง สนามเดียว 1700 V 1200 A 3150 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา