ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
MG10P12P2
  • MG10P12P2
MG10P12P2

MG10P12P2

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
10 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 10A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
-
Mfr:
เทคโนโลยีหยางจี้
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
105 วัตต์
หน่วยงาน:
วงจรเรียงกระแสสะพานสามเฟส
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
1 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟสพร้อมเบรค
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ทรานซิสเตอร์ - IGBT - โมดูล P2
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT อินเวอร์เตอร์สามเฟส พร้อมเบรค 1200 V 10 A 105 W

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา