ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
FP40R12KT3BOSA1
  • FP40R12KT3BOSA1
FP40R12KT3BOSA1

FP40R12KT3BOSA1

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
55 อ
สถานะสินค้า:
เลิกผลิตที่ Digi-Key
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 40A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
-
กำลัง - สูงสุด:
210 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
2.5 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FP40R12
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IGBT MOD 1200V 55A 210W
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT อินเวอร์เตอร์สามเฟส 1200 V 55 A 210 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา