ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
VS-ENQ030L120S
  • VS-ENQ030L120S
VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
61 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
อีมิปัก-1B
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.52V @ 15V, 30A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
อีมิปัก-1B
Mfr:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
อุณหภูมิการทํางาน:
150°C (ทีเจ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
230 ไมโครเอ
ประเภท IGBT:
ร่องลึก
กำลัง - สูงสุด:
216 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
3.34nF @ 30 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามระดับ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
ENQ030
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT ช่อง 3 ระดับ อินเวอร์เตอร์ 1200 V 61 A 216 W ชาซี มอนท์ EMIPAK-1B

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา