ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
FS200R07A1E3BOMA1
  • FS200R07A1E3BOMA1
FS200R07A1E3BOMA1

FS200R07A1E3BOMA1

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
250 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ไฮบริดแพ็ค™1
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.9V @ 15V, 200A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
เอจี-ไฮบริด1-1
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
1 ม
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
790 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
13 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามเฟส
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FS200R07
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
โมดูล IGBT ไฮบริด PK
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT กรังสนามหยุดสามเฟส Inverter 650 V 250 A 790 W ชาซี Mount AG-HYBRID1-1

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา