ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
FD1000R33HE3KBPSA1
  • FD1000R33HE3KBPSA1
FD1000R33HE3KBPSA1

FD1000R33HE3KBPSA1

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
1,000 ก
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ไอเอชเอ็ม-บี
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
3.1V@15V,1000A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
3300 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
11500 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
190nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
ชอปเปอร์เบรกคู่
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FD1000
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
โมดูล IGBT 3300V 1000A
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT ช่องแหล่งหยุด เบรคคู่ โฮปเปอร์ 3300 V 1000 A 11500 W โมดูลการติดตั้งชัสซี่

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา