logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
DRDP006W-7
  • DRDP006W-7
DRDP006W-7

DRDP006W-7

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
600 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภททรานซิสเตอร์:
PNP - พรีไบแอส + ไดโอด
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
ความถี่ - การเปลี่ยน:
200 MHz
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
DRD (xxxx) ว
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:
400mV ที่ 15mA, 150mA
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
60 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สทศ-363
Mfr:
ไดโอเดสอินคอร์เปอร์
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
10nA (ไอซีบีโอ)
กำลัง - สูงสุด:
200 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:
-
เลขสินค้าพื้นฐาน:
DRDP006
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
ทรานส์ PNP 60V 0.6A SOT363
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ (BJT) PNP - ทรานซิสเตอร์ + ไดโอ้ด 60 V 600 mA 200 MHz 200 mW

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา