logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
CGH25120F
  • CGH25120F
CGH25120F

CGH25120F

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
84 โวลต์
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
กาน
รูปเสียงรบกวน:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
440162
แรงดัน - ทดสอบ:
28 โวลต์
Mfr:
วูล์ฟสปีด อิงค์
ความถี่:
2.3GHz ~ 2.7GHz
ได้รับ:
12.5dB
กล่อง / กระเป๋า:
440162
ปัจจุบัน - ทดสอบ:
500 มิลลิแอมป์
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
130W
เทคโนโลยี:
เฮ็มท์
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
-
เลขสินค้าพื้นฐาน:
CGH25120
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
RF Mosfet 28 V 500 mA 2.3 GHz ~ 2.7 GHz 12.5dB 130W 440162

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา