logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
IGN1011L1200
  • IGN1011L1200
IGN1011L1200

IGN1011L1200

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
180 โวลต์
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
รูปเสียงรบกวน:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
PL84A1
แรงดัน - ทดสอบ:
50 โวลต์
Mfr:
อินทิรา เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่:
1.03GHz ~ 1.09GHz
ได้รับ:
16.8dB
กล่อง / กระเป๋า:
PL84A1
ปัจจุบัน - ทดสอบ:
160 ม.ม
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
1250W
เทคโนโลยี:
เฮ็มท์
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
-
เลขสินค้าพื้นฐาน:
ไอจีเอ็น1011
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
GAN, RF POWER TRANSMISTER, L-BAND การใช้งานของเครื่องยนต์
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
มอสเฟตความถี่วิทยุ 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา