logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
PXAE183708NB-V1-R2
  • PXAE183708NB-V1-R2
PXAE183708NB-V1-R2

PXAE183708NB-V1-R2

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
65 โวลต์
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
รูปเสียงรบกวน:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
PG-HB2SOF-8-1
แรงดัน - ทดสอบ:
28 โวลต์
Mfr:
วูล์ฟสปีด อิงค์
ความถี่:
1.805GHz ~ 1.88GHz
ได้รับ:
16dB
กล่อง / กระเป๋า:
PG-HB2SOF-8-1
ปัจจุบัน - ทดสอบ:
800 มิลลิแอมป์
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
320W
เทคโนโลยี:
แอลดีมอส
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
10µA
เลขสินค้าพื้นฐาน:
PXAE183708
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
320W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
มอสเฟ็ท RF 28 V 800 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 16dB 320W PG-HB2SOF-8-1

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา