logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
PTFB210801FA-V1-R250
  • PTFB210801FA-V1-R250
PTFB210801FA-V1-R250

PTFB210801FA-V1-R250

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
65 โวลต์
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
รูปเสียงรบกวน:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
H-37265-2
แรงดัน - ทดสอบ:
28 โวลต์
Mfr:
วูล์ฟสปีด อิงค์
ความถี่:
2.17GHz
ได้รับ:
18.5dB
กล่อง / กระเป๋า:
H-37265-2
ปัจจุบัน - ทดสอบ:
750 ม
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
20w
เทคโนโลยี:
แอลดีมอส
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
-
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
FET RF LDMOS 80W H37265-2
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
มอสเฟ็ท RF 28 V 750 mA 2.17GHz 18.5dB 20W H-37265-2

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา