logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
PTFB211501E-V1-R250
  • PTFB211501E-V1-R250
PTFB211501E-V1-R250

PTFB211501E-V1-R250

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
65 โวลต์
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
รูปเสียงรบกวน:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
H-36248-2
แรงดัน - ทดสอบ:
30 โวลต์
Mfr:
วูล์ฟสปีด อิงค์
ความถี่:
2.17GHz
ได้รับ:
18dB
กล่อง / กระเป๋า:
2-Flatpack, Fin Leads
ปัจจุบัน - ทดสอบ:
1.2 ก
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
40W
เทคโนโลยี:
แอลดีมอส
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
-
เลขสินค้าพื้นฐาน:
PTFB211501
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
FET RF LDMOS 150W H36248-2
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
มอสเฟต RF 30 V 1.2 A 2.17GHz 18dB 40W H-36248-2

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา