ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
BG3123E6327HTSA1
  • BG3123E6327HTSA1
BG3123E6327HTSA1

BG3123E6327HTSA1

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs RF FETs, MOSFET
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด:
8 โวลต์
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
การกำหนดค่า:
2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
ซีรี่ย์:
-
รูปเสียงรบกวน:
1.8dB
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
PG-SOT363-PO
แรงดัน - ทดสอบ:
5 โวลต์
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ความถี่:
800MHz
ได้รับ:
25db
กล่อง / กระเป๋า:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ปัจจุบัน - ทดสอบ:
14 ม
เพาเวอร์-เอาท์พุต:
-
เทคโนโลยี:
มอสเฟต
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์):
25mA, 20mA
เลขสินค้าพื้นฐาน:
บีจี3123
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
มอสเฟ็ท RF 5 V 14 mA 800MHz 25dB PG-SOT363-PO

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา