ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
FF650R17IE4BOSA1
  • FF650R17IE4BOSA1
FF650R17IE4BOSA1

FF650R17IE4BOSA1

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
5 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ไพรม์แพ็ค™2
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 650A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1700 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C
กำลัง - สูงสุด:
4150 วัตต์
ประเภท IGBT:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
54 nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
2 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FF650R17
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
โมดูล IGBT 1700V 4150W
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT 2 โมดูลติดชัสซี่อิสระ 1700 V 4150 W

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา