ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
APTGLQ200HR120G
  • APTGLQ200HR120G
APTGLQ200HR120G

APTGLQ200HR120G

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
300 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
200 µA
ซีรี่ย์:
-
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 160A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
1200 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
SP6
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
กำลัง - สูงสุด:
1,000 วัตต์
กล่อง / กระเป๋า:
SP6
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
9.2nF @ 25 โวลต์
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
APTGLQ200
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
โมดูล IGBT 1200V 300A 1000W SP6
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT กรังสนามหยุด 1200 V 300 A 1000 W ผ่านช่อง SP6

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา