ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
FPF2G120BF07AS
  • FPF2G120BF07AS
FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
40 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 40A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
F2
Mfr:
เซมี่
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
250 µA
ประเภท IGBT:
สนามหยุด
กำลัง - สูงสุด:
156 ว
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 150°C (TJ)
การกำหนดค่า:
3 อิสระ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
FPF2G120
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
โมดูล IGBT 650V 40A 156W F2
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
IGBT โมดูล สต๊อปสนาม 3 เอกชน 650 V 40 A 156 W ผ่านหลุม F2

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา