ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
VS-ETF150Y65U
  • VS-ETF150Y65U
VS-ETF150Y65U

VS-ETF150Y65U

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
142 ก
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
อีมิปัก-2B
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.06V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
อีมิปัก-2B
Mfr:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
อุณหภูมิการทํางาน:
175°C (ทีเจ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µA
ประเภท IGBT:
ร่องลึก
กำลัง - สูงสุด:
417 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
6.6 nF @ 30 โวลต์
การกำหนดค่า:
อินเวอร์เตอร์สามระดับ
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
อีทีเอฟ150
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
IGBT MOD 650V 142A EMIPAK-2B
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT ช่อง 3 ระดับ อินเวอร์เตอร์ 650 V 142 A 417 W ชาซีมอนท์ EMIPAK-2B

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา