ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
VS-ETF150Y65N
  • VS-ETF150Y65N
VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
201 อ
สถานะสินค้า:
ปราศการ
แพ็คเกจ:
กล่อง
ซีรี่ย์:
เฟรด Pt®
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
2.17V @ 15V, 150A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
650 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
โมดูล
Mfr:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
กำลัง - สูงสุด:
600 วัตต์
ประเภท IGBT:
สพป
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
อุณหภูมิการทํางาน:
175°C (ทีเจ)
การกำหนดค่า:
ฮาล์ฟบริดจ์อินเวอร์เตอร์
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ใช่
เลขสินค้าพื้นฐาน:
อีทีเอฟ150
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
IGBT MOD 650V 201A 600W
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
โมดูล IGBT NPT Half Bridge Inverter 650 V 201 A โมดูล 600 W

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา