ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC ทรานซิสเตอร์ >
VS-GT250SA60S
  • VS-GT250SA60S
VS-GT250SA60S

VS-GT250SA60S

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):
359 อ
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ติดแชสซี
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
-
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-227-4 มินิบล็อก
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic:
1.16V @ 15V, 100A
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):
600 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
สทศ-227
Mfr:
Vishay General Semiconductor - แผนกไดโอด
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 175°C (TJ)
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):
100 µA
ประเภท IGBT:
สนามเพลาะหยุด
กำลัง - สูงสุด:
750 วัตต์
หน่วยงาน:
มาตรฐาน
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce:
24.2nF @ 25 โวลต์
การกำหนดค่า:
เพียงคนเดียว
กทช เทอร์มิสเตอร์:
ไม่
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คลังสินค้า
มีสินค้า
วิธีการจัดส่งสินค้า
LCL, AIR, FCL, เอ็กซ์เพรส
คําอธิบาย
IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227
เงื่อนไขการชำระเงิน
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียดสินค้า
IGBT โมดูล กรัง สต็อปสนามเดียว 600 V 359 A 750 W แชสซี่ มอนท์ SOT-227

แท็ก:

ชิป IC ทรานซิสเตอร์,

ชิปฝังตัว,

ชิปฝังตัว SMD

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา