logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
N25S818HAS21I
  • N25S818HAS21I
N25S818HAS21I

N25S818HAS21I

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
256Kbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
เอสพีไอ
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
8-SOIC
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
เซมี่
ความถี่นาฬิกา:
16 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
กล่อง / กระเป๋า:
8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:
32K x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
แรม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
N25S818
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีสแรม 256KBIT SPI 16MHZ 8SOIC
รายละเอียดสินค้า
ความจํา SRAM IC 256Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา