logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
CY7C1381KV33-100BZXI
  • CY7C1381KV33-100BZXI
CY7C1381KV33-100BZXI

CY7C1381KV33-100BZXI

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
18Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
165-FBGA (13x15)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ความถี่นาฬิกา:
100 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
3.135V~3.6V
เข้าถึงเวลา:
8.5 น
กล่อง / กระเป๋า:
165-แอลบีจีเอ
องค์การหน่วยความจำ:
512K x 36
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - ซิงโครนัส, SDR
เลขสินค้าพื้นฐาน:
CY7C1381
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีสแรม 18MBIT พาร์ 165FBGA
รายละเอียดสินค้า
SRAM - IC ความจํา SDR สมัครสมาชิก 18Mbit ปานกลาง 100 MHz 8.5 ns 165-FBGA (13x15)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา