ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
DS1230AB-150+
  • DS1230AB-150+
DS1230AB-150+

DS1230AB-150+

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ท่อ
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
150ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
28-EDIP
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ลบเลือน
Mfr:
Analog Devices Inc./Maxim Integrated บริษัทที่จําหน่ายอุปกรณ์อานาล็อก จํากัด
ขนาดหน่วยความจำ:
256Kbit
โลเตจ - การให้บริการ:
4.75V~5.25V
เข้าถึงเวลา:
150 น
กล่อง / กระเป๋า:
โมดูล 28-DIP (0.600", 15.24 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:
32K x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:
NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
DS1230AB
รูปแบบหน่วยความจำ:
เอ็นวีเอสแรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี NVSRAM 256KBIT พาร์ 28EDIP
รายละเอียดสินค้า
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) ความจํา IC 256Kbit ปานกลาง 150 ns 28-EDIP

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา