logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
NV25512MUW3VTBG
  • NV25512MUW3VTBG
NV25512MUW3VTBG

NV25512MUW3VTBG

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
512Kbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
รถยนต์ AEC-Q100
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
เอสพีไอ
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
5ms
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
8-UDFN (2x3)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ลบเลือน
Mfr:
เซมี่
ความถี่นาฬิกา:
10 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.8V~5.5V
เข้าถึงเวลา:
45 น
กล่อง / กระเป๋า:
8-UFDFN แผ่นสัมผัส
องค์การหน่วยความจำ:
64K x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 125°C (TA)
เทคโนโลย:
อีพรอม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
NV25512
รูปแบบหน่วยความจำ:
อีพรอม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี EEPROM 512KBIT SPI 8UDFN
รายละเอียดสินค้า
หน่วยความจำ EEPROM ไอซี 512Kbit SPI 10 MHz 45 ns 8-UDFN (2x3)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา