logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
S70KS1281DPBHI020
  • S70KS1281DPBHI020
S70KS1281DPBHI020

S70KS1281DPBHI020

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
128Mbit
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
ไฮเปอร์แรม™ KS
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
24-FBGA (6x8)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ความถี่นาฬิกา:
166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
36 น
กล่อง / กระเป๋า:
24-VBGA
องค์การหน่วยความจำ:
16 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
PSRAM (Pseudo SRAM)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
S70KS1281
รูปแบบหน่วยความจำ:
พีแรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี PSRAM 128MBIT พาร์ 24FBGA
รายละเอียดสินค้า
PSRAM (Pseudo SRAM) ความจํา IC 128Mbit ร่วม 166 MHz 36 ns 24-FBGA (6x8)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา