logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
CY14B104LA-BA45XI
  • CY14B104LA-BA45XI
CY14B104LA-BA45XI

CY14B104LA-BA45XI

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
45ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
48-เอฟบีจีเอ (6x10)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ลบเลือน
Mfr:
Cypress Semiconductor Corp
ขนาดหน่วยความจำ:
4Mbit
โลเตจ - การให้บริการ:
2.7V ~ 3.6V
เข้าถึงเวลา:
45 น
กล่อง / กระเป๋า:
48-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
512K x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
NVSRAM (SRAM ไม่ลบเลือน)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
CY14B104
รูปแบบหน่วยความจำ:
เอ็นวีเอสแรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
รายละเอียดสินค้า
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) แมมรี่ IC 4Mbit ปานกลาง 45 ns 48-FBGA (6x10)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา