ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
W63AH2NBVADI
  • W63AH2NBVADI
W63AH2NBVADI

W63AH2NBVADI

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
1 กิกะบิต
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
HSUL_12
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
178-VFBGA (11x11.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ความถี่นาฬิกา:
1.066 กิกะเฮิร์ตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.14V~1.3V, 1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
5.5 น
กล่อง / กระเป๋า:
178-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
32ม.x32
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 85°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - มือถือ LPDDR3
เลขสินค้าพื้นฐาน:
W63AH2
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีแรม 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - โทรศัพท์มือถือ LPDDR3 ความจํา IC 1Gbit HSUL_12 1.066 GHz 5.5 ns 178-VFBGA (11x11.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา