ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
ธ58NYG3S0HBAI4
  • ธ58NYG3S0HBAI4
ธ58NYG3S0HBAI4

ธ58NYG3S0HBAI4

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
25 น
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
63-TFBGA (9x11)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ลบเลือน
Mfr:
Kioxia อเมริกา อิงค์
ขนาดหน่วยความจำ:
8Gbit
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
25 น
กล่อง / กระเป๋า:
63-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
1G x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
แฟลช - NAND (SLC)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
TH58NYG3
รูปแบบหน่วยความจำ:
แฟลช
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีแฟลช 8GBIT ขนาน 63TFBGA
รายละเอียดสินค้า
แฟลช - NAND (SLC) แมมรี่ IC 8Gbit ปานกลาง 25 ns 63-TFBGA (9x11)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา