ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR
  • MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
4Gbit (NAND) 2Gbit (LPDDR2)
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
162-VFBGA (10.5x8)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ระเหย, ระเหยได้
Mfr:
ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
533 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.8V
กล่อง / กระเป๋า:
162-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2)
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
แฟลช - NAND, DRAM - LPDDR2
เลขสินค้าพื้นฐาน:
MT29RZ4B2
รูปแบบหน่วยความจำ:
แฟลช, แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีแฟลชแรม 4GBIT พาร์ 162VFBGA
รายละเอียดสินค้า
FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) ปานกลาง 533 MHz 162-VFBGA (10.5x8)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา