ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
MT46V16M8TG-6T L:D TR
  • MT46V16M8TG-6T L:D TR
MT46V16M8TG-6T L:D TR

MT46V16M8TG-6T L:D TR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
128Mbit
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
66-สทศ
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
167 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
2.3V~2.7V
เข้าถึงเวลา:
700 พิโคเซคอน
กล่อง / กระเป๋า:
66-TSSOP (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:
16 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:
SDRAM - DDR
เลขสินค้าพื้นฐาน:
MT46V16M8
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี DRAM 128MBIT พาร์ 66TSOP
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - DDR Memory IC 128Mbit ปานกลาง 167 MHz 700 ps 66-TSOP

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา