ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
MT47H256M4HQ-5E:E TR
  • MT47H256M4HQ-5E:E TR
MT47H256M4HQ-5E:E TR

MT47H256M4HQ-5E:E TR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
1 กิกะบิต
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
60-FBGA (8x11.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
200 MHz
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V ~ 1.9V
เข้าถึงเวลา:
600 PS
กล่อง / กระเป๋า:
60-FBGA
องค์การหน่วยความจำ:
256M x 4
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 85°C (ทีซี)
เทคโนโลย:
SDRAM - DDR2
เลขสินค้าพื้นฐาน:
MT47H256M4
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีDRAM 1GBIT ขนาน 60FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gbit ปานกลาง 200 MHz 600 ps 60-FBGA (8x11.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา