ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
71V35761S200BGG
  • 71V35761S200BGG
71V35761S200BGG

71V35761S200BGG

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
4.5เมกะบิต
สถานะสินค้า:
ปราศการ
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
119-PBGA (14x22)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
IDT บริษัท เทคโนโลยีอุปกรณ์รวม
ความถี่นาฬิกา:
200 MHz
โลเตจ - การให้บริการ:
3.135V ~ 3.465V
เข้าถึงเวลา:
3.1 น
กล่อง / กระเป๋า:
119-บีจีเอ
องค์การหน่วยความจำ:
128K x 36
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - ซิงโครนัส, SDR
เลขสินค้าพื้นฐาน:
71V35761S
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี SRAM 4.5MBIT พาร์ 119PBGA
รายละเอียดสินค้า
SRAM - สมัครสมาชิก, SDR Memory IC 4.5Mbit ปานกลาง 200 MHz 3.1 ns 119-PBGA (14x22)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา