ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
AS7C325632-10BIN
  • AS7C325632-10BIN
AS7C325632-10BIN

AS7C325632-10BIN

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
10ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
90-TFBGA (8x13)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
ขนาดหน่วยความจำ:
8 เมกะบิต
โลเตจ - การให้บริการ:
2.7V ~ 3.6V
เข้าถึงเวลา:
10 nS
กล่อง / กระเป๋า:
90-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
1 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - อะซิงโครนัส
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS7C325632
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี SRAM 8MBIT ขนาน 90TFBGA
รายละเอียดสินค้า
SRAM - แมมรี่แบบไม่สมอง IC 8Mbit ทิศทาง 10 ns 90-TFBGA (8x13)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา