ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
GS8160Z36DGT-250I
  • GS8160Z36DGT-250I
GS8160Z36DGT-250I

GS8160Z36DGT-250I

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
18Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
100-TQFP (20x14)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
จีเอสไอ เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
250 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
กล่อง / กระเป๋า:
100-LQFP
องค์การหน่วยความจำ:
512K x 36
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 100°C (TJ)
เทคโนโลย:
SRAM - ซินครอน ZBT
เลขสินค้าพื้นฐาน:
GS8160Z36
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีสแรม 18MBIT ขนาน 100TQFP
รายละเอียดสินค้า
SRAM - IC ความจํา ZBT สมัครสมาชิก 18Mbit ปานกลาง 250 MHz 100-TQFP (20x14)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา