ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
AS1C8M16PL-70BIN
  • AS1C8M16PL-70BIN
AS1C8M16PL-70BIN

AS1C8M16PL-70BIN

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
49-เอฟบีจีเอ (4x4)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
ขนาดหน่วยความจำ:
128Mbit
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
70 น
กล่อง / กระเป๋า:
49-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
8ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
-30°C ~ 85°C (TC)
เทคโนโลย:
PSRAM (Pseudo SRAM)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS1C8M16
รูปแบบหน่วยความจำ:
พีแรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี PSRAM 128MBIT ขนาน 49FBGA
รายละเอียดสินค้า
PSRAM (Pseudo SRAM) แมมมรี่ IC 128Mbit ปานกลาง 70 ns 49-FBGA (4x4)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา