ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
AS4C16M16MSA-6BIN
  • AS4C16M16MSA-6BIN
AS4C16M16MSA-6BIN

AS4C16M16MSA-6BIN

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
256Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
54-FBGA (8x8)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
ความถี่นาฬิกา:
166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
5.5 น
กล่อง / กระเป๋า:
54-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
16ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
SDRAM - SDRAM มือถือ
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS4C16
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีDRAM 256MBIT ขนาน 54FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - เอมโมบิล SDRAM Memory IC 256Mbit ปานกลาง 166 MHz 5.5 ns 54-FBGA (8x8)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา