logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
IS43LQ16128A-062TBLI
  • IS43LQ16128A-062TBLI
IS43LQ16128A-062TBLI

IS43LQ16128A-062TBLI

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
2กิกะบิต
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
LVSTL
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
200-TFBGA (10x14.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
1.6 กิกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
กล่อง / กระเป๋า:
200-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
128ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 95°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - มือถือ LPDDR4
เลขสินค้าพื้นฐาน:
IS43LQ16128
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี แรม 2GBIT LVSTL 200TFBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - โมบาย LPDDR4 แมมรี่ IC 2Gbit LVSTL 1.6 GHz 200-TFBGA (10x14.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา