logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
W947D2HBJX6E TR
  • W947D2HBJX6E TR
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
128Mbit
สถานะสินค้า:
ซื้อครั้งสุดท้าย
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
90-VFBGA (8x13)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
วินบอนด์ อิเล็กทรอนิกส์
ความถี่นาฬิกา:
166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
5 น
กล่อง / กระเป๋า:
90-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
4ม.x32
อุณหภูมิการทํางาน:
-25 °C ~ 85 °C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - LPDDR มือถือ
เลขสินค้าพื้นฐาน:
W947D2
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี แรม 128MBIT พาร์ 90VFBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - แมมโมรี่ LPDDR โทรศัพท์มือถือ IC 128Mbit ร่วม 166 MHz 5 ns 90-VFBGA (8x13)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา