ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
IS43DR16160B-3DBLI-TR
  • IS43DR16160B-3DBLI-TR
IS43DR16160B-3DBLI-TR

IS43DR16160B-3DBLI-TR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
256Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
84-TWBGA (8x12.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
333 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V ~ 1.9V
เข้าถึงเวลา:
450 ปล
กล่อง / กระเป๋า:
84-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
16ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
SDRAM - DDR2
เลขสินค้าพื้นฐาน:
IS43DR16160
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mbit ปานกลาง 333 MHz 450 ps 84-TWBGA (8x12.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา