logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
IS66WVC4M16EALL-7010BLI
  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI
IS66WVC4M16EALL-7010BLI

IS66WVC4M16EALL-7010BLI

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
70ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
54-VFBGA (6x8)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
ISSI บริษัท อินทิเกรเต็ด ซิลิคอน โซลูชั่น อิงค์
ขนาดหน่วยความจำ:
64Mbit
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
70 น
กล่อง / กระเป๋า:
54-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
4ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 85°C (TC)
เทคโนโลย:
PSRAM (Pseudo SRAM)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
IS66WVC4M16
รูปแบบหน่วยความจำ:
พีแรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี PSRAM 64MBIT ขนาน 54VFBGA
รายละเอียดสินค้า
PSRAM (Pseudo SRAM) แมมมรี่ IC 64Mbit ปานกลาง 70 ns 54-VFBGA (6x8)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา