logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
AS4C32M16MSA-6BINTR
  • AS4C32M16MSA-6BINTR
AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
512Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
54-FBGA (8x8)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 85°C (TJ)
ความถี่นาฬิกา:
166 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.7V~1.95V
เข้าถึงเวลา:
5.5 น
กล่อง / กระเป๋า:
54-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
32ม.x16
เทคโนโลย:
SDRAM - SDRAM มือถือ
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS4C32
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีDRAM 512MBIT ขนาน 54FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - แมมโมรี่ SDRAM โทรศัพท์มือถือ IC 512Mbit ร่วม 166 MHz 5.5 ns 54-FBGA (8x8)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา