logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
AS4C128M32MD2A-18BINTR
  • AS4C128M32MD2A-18BINTR
AS4C128M32MD2A-18BINTR

AS4C128M32MD2A-18BINTR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
4กิกะบิต
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
134-FBGA (10x11.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
ความถี่นาฬิกา:
533 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.14V ~ 1.95V
กล่อง / กระเป๋า:
134-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
128 ม. x 32
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 85°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - มือถือ LPDDR2
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS4C128
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีDRAM 4GBIT ขนาน 134FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - โมบายล์ LPDDR2 แมมมรี่ IC 4Gbit ปาราเลล 533 MHz 134-FBGA (10x11.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา