logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
AS4C512M16D3LA-10BCNTR
  • AS4C512M16D3LA-10BCNTR
AS4C512M16D3LA-10BCNTR

AS4C512M16D3LA-10BCNTR

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
8Gbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
96-FBGA (13.5x9)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Alliance Memory, Inc.
ความถี่นาฬิกา:
933 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.283V~1.45V
เข้าถึงเวลา:
20 น
กล่อง / กระเป๋า:
96-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
512ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 95°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - DDR3L
เลขสินค้าพื้นฐาน:
AS4C512
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - DDR3L Memory IC 8Gbit ร่วมกัน 933 MHz 20 ns 96-FBGA (13.5x9)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา