logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
  • MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E

MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
512Gbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
132-VBGA (12x18)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ลบเลือน
Mfr:
ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
267 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
2.7V ~ 3.6V
กล่อง / กระเป๋า:
132-VBGA
องค์การหน่วยความจำ:
64G x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40 °C ~ 85 °C (TA)
เทคโนโลย:
แฟลช - NAND (MLC)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
MT29F512G08
รูปแบบหน่วยความจำ:
แฟลช
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
รายละเอียดสินค้า
แฟลช - NAND (MLC) เอมโมรี่ IC 512Gbit ปานกลาง 267 MHz 132-VBGA (12x18)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา