logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
EM6GE08EW8D-10H
  • EM6GE08EW8D-10H
EM6GE08EW8D-10H

EM6GE08EW8D-10H

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
4กิกะบิต
สถานะสินค้า:
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
78-FBGA (9x10.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Etron เทคโนโลยี, Inc.
ความถี่นาฬิกา:
933 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.425V~1.575V
เข้าถึงเวลา:
20 น
กล่อง / กระเป๋า:
78-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
512 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 95°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - DDR3
เลขสินค้าพื้นฐาน:
EM6GE08
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี DRAM 4GBIT พาร์ 78FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gbit ปานกลาง 933 MHz 20 ns 78-FBGA (9x10.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา