logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
EM6OE08NW9A-07IH
  • EM6OE08NW9A-07IH
EM6OE08NW9A-07IH

EM6OE08NW9A-07IH

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
4กิกะบิต
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
พ็อด
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
15 วินาที
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
78-FBGA (7.5x10.6)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
Etron เทคโนโลยี, Inc.
ความถี่นาฬิกา:
1.333กิกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
1.14V~1.26V
เข้าถึงเวลา:
18 น
กล่อง / กระเป๋า:
78-TFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
512 ม. x 8
อุณหภูมิการทํางาน:
-40°C ~ 95°C (TC)
เทคโนโลย:
SDRAM - DDR4
เลขสินค้าพื้นฐาน:
EM6OE08
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี แรม 4GBIT POD 78FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - ไอซีหน่วยความจำ DDR4 4Gbit POD 1.333 GHz 18 ns 78-FBGA (7.5x10.6)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา