logo
ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
04EM04-N3GM627-GA06U
  • 04EM04-N3GM627-GA06U
04EM04-N3GM627-GA06U

04EM04-N3GM627-GA06U

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ตะกร้า
ซีรี่ย์:
EMCP
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
221-VFBGA (13x11.5)
ประเภทหน่วยความจำ:
ไม่ระเหย, ระเหยได้
Mfr:
คิงส์ตัน
อุณหภูมิการทํางาน:
-25°C ~ 85°C
ขนาดหน่วยความจำ:
4GByte (NAND), 4Gbit (LPDDR3 DRAM)
โลเตจ - การให้บริการ:
1.8V, 3.3V
กล่อง / กระเป๋า:
221-VFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
-
เทคโนโลย:
แฟลช - NAND, DRAM - LPDDR
เลขสินค้าพื้นฐาน:
04EM04
รูปแบบหน่วยความจำ:
แฟลช, แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซี FLSH RAM 4GBYTE EMMC 221VFBGA
รายละเอียดสินค้า
แฟลช - NAND, DRAM - ไอซีหน่วยความจำ LPDDR 4GByte (NAND), 4Gbit (LPDDR3 DRAM) eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 221-VFBGA (13x11.5)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา