ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
HYB25L512160AC-7.5 รีล
  • HYB25L512160AC-7.5 รีล
HYB25L512160AC-7.5 รีล

HYB25L512160AC-7.5 รีล

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
512Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
14น
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
54-FBGA (8x12)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
อินฟินิออน เทคโนโลยี
ความถี่นาฬิกา:
133 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
2.3V~3.6V
กล่อง / กระเป๋า:
54-LFBGA
องค์การหน่วยความจำ:
32ม.x16
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (ทีซี)
เทคโนโลย:
SDRAM - LPDDR มือถือ
เข้าถึงเวลา:
6 น
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีDRAM 512MBIT ขนาน 54FBGA
รายละเอียดสินค้า
SDRAM - แมมโมรี่ LPDDR มือถือ IC 512Mbit ปานกลาง 133 MHz 6 ns 54-FBGA (8x12)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา