ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
71V016SA10YG
  • 71V016SA10YG
71V016SA10YG

71V016SA10YG

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
10ns
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
44-สอจ
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
IDT บริษัท เทคโนโลยีอุปกรณ์รวม
ขนาดหน่วยความจำ:
1Mbit
โลเตจ - การให้บริการ:
3.15V~3.6V
เข้าถึงเวลา:
10 nS
กล่อง / กระเป๋า:
44-BSOJ (0.400", ความกว้าง 10.16 มม.)
องค์การหน่วยความจำ:
64Kx16
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - อะซิงโครนัส
เลขสินค้าพื้นฐาน:
71V016
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีสแรม 1MBIT ขนาน 44SOJ
รายละเอียดสินค้า
SRAM - แมมรี่แบบไม่สมอง IC 1Mbit ทิศทาง 10 ns 44-SOJ

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา