ส่งข้อความ
Shenzhen Tengshengda ELECTRIC CO., LTD.
อีเมล ice@tsdatech.com โทร: 86--13825240555
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ชิป IC หน่วยความจำแฟลช >
MT54V1MH18EF-75
  • MT54V1MH18EF-75
MT54V1MH18EF-75

MT54V1MH18EF-75

รายละเอียดสินค้า
ประเภท:
เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา
ขนาดหน่วยความจำ:
18Mbit
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
คิวดีอาร์®
โปรแกรม DigiKey:
ไม่ยืนยัน
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:
HSTL
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
165-FBGA (13x15)
ประเภทหน่วยความจำ:
ระเหย
Mfr:
ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์
ความถี่นาฬิกา:
133 เมกะเฮิรตซ์
โลเตจ - การให้บริการ:
2.4V ~ 2.6V
กล่อง / กระเป๋า:
165-TBGA
องค์การหน่วยความจำ:
1ม.x18
อุณหภูมิการทํางาน:
0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:
SRAM - ซิงโครนัส
เข้าถึงเวลา:
3 น
รูปแบบหน่วยความจำ:
แรม
เงื่อนไขการชำระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย
ไอซีสแรม 18MBIT HSTL 165FBGA
รายละเอียดสินค้า
SRAM - IC ความจําร่วม 18Mbit HSTL 133 MHz 3 ns 165-FBGA (13x15)

แท็ก:

ชิป IC หน่วยความจำแฟลช,

ชิปวงจรรวม,

ชิปหน่วยความจำ

สินค้าแนะนำ

ติดต่อเราได้ตลอดเวลา

86--13825240555
609 No. 4018, baoan Road, Xixiang Street, Baoan District, เซินเจิ้น, กวางตุ้ง
8613825240555
+8613425785954
+8613425785954
ice@tsdatech.com
ส่งคำถามของคุณโดยตรงถึงเรา